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电子元器件详细资料 » IC[28697] » SI4650DY-T1-E3
型号:SI4650DY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C18 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1550pF @ 15V
功率_最大3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

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SI4650DY-T1-E3相关型号

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